OGB蓄电池NP系列参数说明

OGB蓄电池NP系列参数说明

性能特点

安全性能好：正常使用下无电解液漏出，无电池膨胀及破裂。

放电性能好：放电电压平稳，放电平台平缓。

耐震动性能好：完全充电状态的电池完全固定，以4mm的振幅，16.7Hz的频率无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。

耐冲击性好：完全充电状态下的电池从20cm高处自然下落至1cm厚的硬木板上3次无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常。

耐过放电性好：25℃，完全充电状态的电池进行定电阻放电3星期（电阻只相当于该电池1Ca放电的要求的电阻）,恢复容量在75%以上。

耐充电性好：25℃，完全充电状态的电池0.1ca充电48小时，无漏液，无电池膨胀及破裂，开路电压正常，容量维持率在95%以上。

耐大电流性好：完全充电状态下的电池2ca放电5分钟或10ca放电5秒钟，无导电部分熔断，无外观变形。

产品特点

维护简单 电池实现密封，在整个寿命期间无需定期补水或补酸等维护。

性能优良 高强度紧装配工艺，防止活性物质脱落，增多酸量设计，提高电池使用寿命。

板栅采用特殊铅钙多元合金，严格控制隔板、电解液的杂质，自放电低。

质隔板，极板、极柱、汇流排优化设计，电池内阻小，大电流放电性能好。

安全可靠 电池密封可靠，无电解液渗漏隐患。安全阀开闭阀性能卓越。

洁净环保 不产生酸雾，对周围环境和配套设施无腐蚀。

注意事项 ：

   1丶远离热源

   2丶运输搬运电池时，应小心轻放，防止损坏电池端子。

   3丶装卸连接条时，必须使用绝缘工具，防止短路。

   4丶旋紧螺母时用力应均匀且不要过大，避免扭伤极柱，出现漏液。

   5丶不同品种型号及新旧电池，不能联系在一起使用。

　目前，芯片缺货潮逐渐从晶圆代工、封测等部分环节蔓延至全产业链，涉及汽车、手机、笔记本等多个消费领域。
　　
　　而作为芯片供应链的主要玩家之一，英特称，全球芯片供应短缺的局面可能还会持续两年。
　　
　　此前，为了扭转英特尔在半导体行业竞争中的颓势，基辛格提出了IDM2.0计划，在财报声明中，基辛格也表示今年将会是英特尔“重要的一年”。
　　
　　从行业来看，英特尔代表的是IDM模式（IntegratedDeviceManufacture，整合设备制造），芯片从设计到成品的整个过程都由制造商负责，这种模式可以保证产品从设计到制造环节的一体性。但从迭代效率和成本来看，目前以台积电为代表的Foundry模式更为主流。
　　
　　为了改变目前以台积电为主的晶圆代工格局，英特尔未来拟在美国亚利桑那州投资约200亿美元新建两座工厂（晶圆厂）。英特尔称，希望成为代工产能的主要提供商，以美国和欧洲为起点面向全球客户提供服务。
　　
　　调研机构TrendForce表示，台积电（TSMC）将在今年下半年开始采用5nm工艺生产英特尔的Corei3芯片。但从新的消息来看，英特尔似乎希望加大以美国为核心的制造能力，以减少对亚洲厂商的依赖。
　　
　　眼下对于英特尔来说，大的问题在于，扩产投资计划可能需要数年时间才能为其提供利润。
　　
　　在财报中，英特尔预期Q2营收178亿美元，略高于OGB蓄电池NP系列参数说明预期的175.5亿美元；不过EPS预期1.05美元略低于预期，公司解释称是受到产能扩充支出影响。截至发稿，英特尔每股报62.57美元，周四下单1.77%，盘后下跌2.17%。