雷迪司蓄电池MF系列参数详情

雷迪司蓄电池MF系列参数详情

型  号    电压(V)    容量(Ah)20小时率 20HR    外型尺寸(mm)    单重(约Kg）    

长(L)    宽(W)    高    总高    

NP-X1207AH    12    7    151    64.5    94    100    2.15    

NP-X1217AH    12    17    181    76    167    167    5.45    

NP-X1224AH    12    24    165    125    175    179.5/175    7.6    

NP-X1240AH    12    40    197    165    175    180/175    12.5    

NP-X1265AH    12    65    350    166    175    175    20.2    

NP-X12100AH    12    100    407    173    210    236    29    

NP-X12120AH    12    120    407    173    210    236    34.5    

NP-X12150AH    12    150    532.4    183.3    209    235/214    43    

NP-X12200AH    12    200    533    236.5    211    237/216    59    

产品特征          1. 容量范围（C20）：7Ah—200Ah（25℃）          2. 电压等级：12V          3. 自放电小：≤2%/月（25℃）          4. 良好的高率放电性能          5. 设计寿命长：20Ah以下为5年、20Ah以上为10年（25℃）          6. 密封反应效率：≥98%          7. 工作温度范围宽：-15℃～45℃          

QLC的出现并不是为了取代SLC/MLC/TLC这些前辈，实力也不允许完成替代。QLC更是对TLC SSD的补充，让SSD市场更加的丰富多彩

自2014年3D NAND问世，就一直聚焦着全世界的目光。经过多年的沉淀，3D NAND行业可谓是"百家"峥嵘。说"百家"是有点夸张了，说白了，3D NAND行业也就是指三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士等这些Flash原厂巨头，因为他们基本完全把控着3D NAND的命脉。中国公司此前在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。值得欣慰的是，长江存储科技在武汉投资国家存储芯片基地，已经迎头赶上，迈进阵营。

6、X-NAND创新架构弥补QLC性能劣势

在应对QLC性能下降带来的影响，通常的做法是给QLC配备SLC Cache，来掩盖QLC性能大幅下降的事实。在正常的workload下，QLC配备的SLC Cache足以保证QLC的性能不会很差，基本维持在SLC的读写性能。但是，在超大压力顺序写场景下，SLC Cache的数据还没来得及搬到QLC时，已经被打满了，这个时候性能就会出现断崖式下降，只有SLC性能的12%。

为了解决这个问题，一家成立于2012年的美国Neo半导体公司，在2018年研发了X-NAND架构，提升TLC/QLC的性能。

X-NAND的确有很大的潜力，特别在QLC NAND容量上升后的性能不断下降情况下，如果X-NAND架构可以弥补QLC的性能劣势，肯定加速QLC的普及。X-NAND架构目前所有的数据均是在提升读写性能，针对雷迪司蓄电池MF系列参数详情对性能场景需求较大的消费级市场，可能有一席之地。